← 一覧に戻る ↓ このページの最下段に移る

JIS X 6305-2：2010
識別カードの試験方法―第2部：磁気ストライプ付きカード 2010改正●2003制定

番号 用語 定義 対応英語
3.1 試験方法 規格に適合していることを確認するために，カードの特性を試験する方法。 test method
3.2 機能残存 破壊を招く危険性がある幾つかの試験に対して，試験後に残存すべき機能を次に示す。
a) 磁気ストライプでは，試験の前後に計測される信号振幅の関係が基本規格に従っている。
b) ICでは，初期応答が基本規格に従っている。注記　この規定では，ICカードの完全な試験方法を網羅していない。この試験方法は，最低限の機能確認をするにすぎない。仕様に応じて機能項目を加えて適用してもよい。
c) 外部端子では，電気抵抗及びインピーダンスが基本規格に従っている。
d) 光メモリでは，光学特性が基本規格に従っている。 		testably functional
3.3 反り カード平面性におけるゆが(歪)み。 warpage
3.4 磁束反転密度●.磁束反転/mm 磁気ストライプ上のトラックに記録された1 mm当たりの磁束反転の数。 flux transitions per millmetre
3.5 記録 この規格の試験方法及び試験パラメタに従った，磁束反転をもつトラックの形成。 recording
3.6 符号化 データを表現するためにF/2F符号形式に従って，間隔を変えた磁束反転をもつトラックの形成。 encoding
3.7 表面粗さ 様々な決定因子及び計算方法を参照して，国際規格で認定された表面領域の表面トポロジー(形態)。 surface roughness
3.8 振幅測定●磁気ストライプの振幅測定 この規格の試験方法及び試験パラメタに従った読取り信号振幅，分解能及び消去効果の測定。 amplitude measurements●amplitude measurements of a magnetic stripe
3.9 ビットセルの変動 符号化されたトラックの中心線に沿って，トラック上に隣接する磁化反転間隔の公称値との偏差。 flux transition spacing variation
3.10 磁気ストライプとカードとの接着性 磁気ストライプとカードとの接着の程度。 magnetic stripe adhesion
3.11 通常の使用 カード技術及び個人情報の記憶媒体に適したカードリーダライタ側の処理を含むIDカード[JIS X 6301の4.(定義)参照]としての使用。 normal use
3.12 静的飽和磁化M(H)曲線 磁化曲線が影響を受けない程度の低い掃引速度で，磁界強度を−H_maxから＋H_maxまでの間を周期的に変化させて得られるヒステリシス曲線[IEC 60050(221)参照]。注記　この用語は括弧をそのままの形で残して使うもので，“静的飽和磁化MH曲線”，“静的飽和磁化M曲線”としては使われない。 static saturation M(H) loop
3.13 保磁力●H'_cM●H'_cJ 飽和磁化状態から，飽和磁化状態とは反対方向に連続的に磁界を印加したとき，磁化量が“0”になる磁界強度[IEC 60050(221)参照]。測定は，磁気ストライプの長辺方向に行う。 coercivity
3.14 残留保磁力●H_T 飽和磁化状態から，飽和磁化状態とは反対方向に連続的に磁界を印加し，その後この磁界を“0”まで戻したときに，残留磁化量が“0”になる磁界強度。測定は，磁気ストライプの長辺方向に行う。 remanent coercivity
3.15 エルステッド●Oe 磁界強度のガウスcgs単位系。磁気記録業界で一般的に用いられてきた。1 Oeは，79.578 A/mに相当する(JIS Z 8202-5:2000参照)。 oersted
3.16 静的減磁●S_160 反対方向磁界の影響による磁性の減少。[M_r−M^+(−160)]÷M_rで表される。静的飽和磁化M(H)曲線の“滅磁”部分の象限において，磁界強度がH＝0とH＝−160 kA/mとの間で得られる磁化曲線の平均な傾きを示す。 static demagnetisation
3.17 角形比●SQ ゼロ磁界強度(H＝0)での磁性値(M_r)と，静的飽和磁化M(H)曲線から得られたH_maxでの磁性値[M(H_max)]との比率[M_r/M(H_max)]。 squareness
3.18 水平角形比●SQ_|| 磁気ストライプの長辺方向と平行に測定された媒体の角形比。 longitudinal squareness
3.19 垂直角形比●SQ_⊥ 磁気ストライプの平面と垂直に測定された媒体の角形比。 perpendicular squareness
3.20 微分係数(derivative)によるスイッチングフィールド●SF_D 微分(differentiated)された静的飽和磁化M(H)曲線を同じカーブの保磁力で除した半値幅。 switching field by derivative
3.21 スロープによるスイッチングフィールド●SF_S 静的飽和磁化M(H)曲線において，M(H)＝＋0.5M_r及びM(H)＝−0.5M_rからなる2種類の磁界強度Hの差を保磁力H'_cMで除した値。次の式で表す。
　SF_S＝(|H_2|−|H_1|) / H'_cM
ここに，|H_1|及び{H_2|は，次の式を満たす磁界強度である。
　M(−|H_1|)＝＋0.5M_r
　M(−|H_2|)＝−0.5M_r 		switching field by slope
3.22 最大角形比の角度●Θ(SQ_max) 角形比の最大値が見いだされた方向と，磁気ストライプの長辺方向軸との角度。 angle of maximum squareness
3.23 分解能 20磁束反転/mmの平均信号振幅を8磁束反転/mmの平均信号振幅で除した数に100を乗じた値(%)。 resolution
3.24 U_F_1 磁気ストライプのすぺての波形のフーリエスペクトルの指定周波数における個々の要素の大きさ。

← 一覧に戻る ↑ このページのトップに戻る